Реферат на тему диод ганна

Таким образом получается, что подвижность зависит от интенсивности междолинных переходов. Рис 3. Все это время рассчет диодов Ганна представлял собой очень длительный и трудоемкий процесс, даже с использованием компьютеров первых поколений. Тут n 1,2 — концентрация свобоных электронов в нижней и верхней долине соответственно; Е — напряженность электрического поля; n 0 — концентрация неподвижных доноров. При запуске программы не ее окне может отсутствовать окно графиков. Впервые явление было открыто Ганном в г.

Температурная модель диодов Ганна Исследования данной проблемы методом Монте-Карло показали, что основным недостатком применяемых до сих пор методов например, локально-полевого является то, что они не учитывают конечность времени разогрева электронов в нижней долине и конечность времени междолинного перехода, что делает их непригодными в диапазоне миллиметровых реферат на тему диод ганна.

Уравнения двухтемпературной модели доидов Ганна можно определить следующим образом. Уравнения сохранения заряда для нижней и верхней долины соответственно: Тут u 1,2 — скорость потока электронов в верхней и нижней долинах соответственно; t 12 и t 21 — время перехода из нижней долины в верхнюю и из верхней в нижнюю соответственно. Скорость изменения энергии электронов вследствие столкновений и междолинных переходов может быть представлена в виде где Е 0 — энергия, соответствующая температуре решетки; t e1 — время релаксации электронов по энергии.

Реферат на тему диод ганна 4016

Статическая температурная модель Реферат на тему диод ганна температурной модели является тот факт, что величины t 12t 21 и t e1 не являются такими четко измеряемыми характеристиками, как пороговое поле эффекта Ганна, пороговая скорость, скорость насыщения. Вероятность иметь эту энергию: где А зависит от общего количества электронов в долине и плотности состояний в верхней долине. Соответственно: Из принципа детального равновесия, то есть условия равенства скоростей перехода, должно выполняться: Что и дает соотношение между временами миждолинного перехода.

Тогда в нижней долине баланс импульса запишется в виде: В данной формуле t m1 — среднее время релаксации по импульсу в нижней долине. Отсюда для соотношения между скоростью и полем, то есть подвижностью в нижней долине можно получить такое соотношение: Таким образом получается, что подвижность зависит от интенсивности междолинных переходов.

Аналогично для верхней долины можно реферат на тему диод ганна В итоге для статической характеристики в рамках двухтемпературной модели получаем систему трансцендентных уравнений Решая эту систему, можно получить зависимость: Сравнивая данную зависимость, полученную теоретически, с экспериментальной зависимостью скорость-поле, можно подобрать значения постоянных времени. Динамическая двухтемпературная модель Основные уравнения двухтемпературной модели имеют вид: Уравнение Пуассона Уравнения сохранения заряда для нижней и верхней долин Уравнение сохранения энергии для нижней долины Кроме того, необходимы граничные условия, имеющие вид Два последних граничных условия являются неточными и для снижения погрешности от этой неточности необходимо в приконтактной области задавать область повышенного легирования.

Наиболее простыми и распространенными вариантами задания внешней схемы являются такие подходы: 1. Решение самосогласованной задачи с внешней схемой в виде колебательного контура; 2. Метод заданного напряжения.

Допустимые значения, вводимые в поля программы, таковы: 1. Пример расчета диода Ганна.

Выберем параметры такими: Длина кристалла — 3 мкм; Число шагов по длине — ; Начало переходной области — 10; Конец переходной области — 20; Частота внеш.

Плохо Средне Хорошо Отлично.

Исследовать на сходимость ряд. После этого рост зарядовой неустойчивости прекратится и, но она будет двигаться по образцу. Если предположить, что распределение электронов в нижней долине характеризуется статистикой Максвелла, когда. Специальные широкополосные резонансные системы позволяют добавить в мощность полезного выходного сигнала высшие гармоники и служат для увеличения КПД.

Банк рефератов содержит более тысяч рефератовкурсовых и дипломных работ, шпаргалок и тему по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому. Всего работ: Диод сведения. RUя реферат обычно заказываю, все качественно и в срок в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут. Проверьте почту. Если в течение 5 минут не придет письмо, возможно, допущена ошибка в адресе.

В таком случае, пожалуйста, повторите заявку. Если в течение 5 минут не придет письмо, пожалуйста, повторите заявку. Отправить на другой номер? Сообщите промокод во время разговора с менеджером. Промокод можно применить один раз ганна первом заказе. Тип работы промокода - " дипломная работа ". Численный расчет диода Ганна Диод Ганна Методика расчета Введение Диоды Ганна, как твердотельные генераторы токов в диапазоне СВЧ находят очень широкое применение в разнообразнейших устройствах благодаря своим несомненным преимуществам: легкости, компактности, надежности, эффективности и др.

Теоретические ганна Э ффект, применяемый в эссе country and Ганна, проявляется в особом классе полупроводниковх веществ — многодолинных полупроводниках. При этом, из-за различия эффективных масс в разных долинах, зависимость скорости электронов от величины приложенного поля такова: Это происходит в силу того, что электроны, набирая начальную скорость, находятся в нижней долине, где их эквивалентная масса мала.

Температурная модель диодов Ганна Исследования данной проблемы методом Монте-Карло показали, что основным недостатком применяемых до сих пор методов например, локально-полевого является то, что они не учитывают конечность времени разогрева электронов в нижней долине и конечность времени междолинного перехода, что делает их непригодными в диапазоне миллиметровых волн. Уравнения двухтемпературной модели доидов Ганна можно определить следующим образом. У равнения сохранения заряда для нижней и верхней долины соответственно: Тут u 1,2 — скорость потока электронов в верхней и нижней долинах соответственно; t 12 и t 21 — время перехода из нижней долины в верхнюю и из верхней в нижнюю соответственно.

Скорость изменения энергии электронов вследствие столкновений и междолинных переходов может быть представлена в виде г де Е 0 — энергия, соответствующая температуре решетки; t e1 — время релаксации электронов по энергии.

Статическая температурная модель Недостатком температурной модели является тот факт, что величины t 12t 21 и t e1 не являются такими четко измеряемыми характеристиками, как пороговое поле эффекта Ганна, пороговая скорость, скорость насыщения.

Вероятность иметь эту энергию: где А зависит от общего количества электронов в долине и плотности состояний в верхней долине. Соответственно: Из принципа детального равновесия, то есть условия равенства скоростей перехода, должно выполняться: Ч то и дает соотношение между временами миждолинного перехода.

Ч.4 Диоды и их разновидности

Т огда в нижней долине баланс импульса запишется в виде: В данной формуле t m1 — среднее время релаксации по импульсу в нижней долине. Отсюда для соотношения между скоростью и полем, то есть подвижностью в нижней долине можно получить такое соотношение: Т аким образом получается, что подвижность зависит от интенсивности междолинных переходов. Аналогично для верхней долины можно записать В итоге для статической характеристики в рамках двухтемпературной модели получаем систему трансцендентных уравнений Р ешая эту систему, можно получить зависимость: Сравнивая данную зависимость, реферат на тему диод ганна теоретически, с экспериментальной зависимостью скорость-поле, можно подобрать значения постоянных времени.

Динамическая двухтемпературная модель Основные уравнения двухтемпературной модели имеют вид: Уравнение Пуассона У равнения сохранения заряда для нижней и верхней долин Уравнение сохранения энергии для нижней долины К роме того, необходимы граничные условия, имеющие вид Два последних граничных условия являются неточными и для снижения погрешности от этой неточности необходимо в приконтактной области задавать область повышенного легирования.

Наиболее простыми и распространенными вариантами задания внешней схемы являются такие подходы: Решение самосогласованной задачи с внешней схемой в виде колебательного контура; Метод заданного напряжения. С уть метода в том, что задав внешнее напряжение на кристалле путем решения уравнений, описывающих процессы в кристалле, находим полный ток через кристалл: Р азложив его в ряд Фурье, получим: Т огда активная проводимость кристалла определяется как: В то же время реактивная проводимость определяется по формуле: В ыходная мощность и коэффициент полезного действия могут при этом быть вычислены по формулам: В последних двух записях предполагается, что ток находится в противофазе к приложенному напряжению и реферат на тему диод ганна кристалла отрицательна.

И объекты инвестиционной реферат расчета диода Ганна. Выберем параметры такими: Длина кристалла — 3 мкм; Число шагов по длине — ; Начало переходной области — 10; Конец переходной области — 20; Частота внеш.

Be sure you are can copy, assemble, hire, broadcast or give it to public in any other kind. Remember that you MUST include into your work an author information.

Наши соц роли определяются ожиданиями других людей эссе14 %
Отчет по производственной практике на предприятии студента64 %

Режими роботи, джерела живлення. Введение 2 2. Техническое задание и исходные данные 3 3. Обзор литературных источников 4 I Междолинный переход электронов 4 II Дипольные домены и возможные режимы работы диодов Ганна 7. Компьютеризированный сбор данных 2 4. Введение 2 4. Общая схема сбора данных 2 4. Диаграмма организации сбора данных 2 4. Объекты мониторинга 2.

Диоды Ганна

Диоды Ганна Диоды Ганна Диоды Ганна — это функциональные приборы, которые реализуют определённую функцию. Впервые явление было открыто Ганном в г. Такой эффект реферат на тему диод ганна в очень малом количестве полупроводников. Диоды Шотки Диод Шотки как полупроводниковый диод, выпрямительные свойства которого основаны на использовании выпрямляющего электрического перехода между металлом и полупроводником. Линейные электрические цепи Решение задач: линейные электрические цепи постоянного и синусоидального тока и трехфазные электрические цепи синусоидального тока.

Полупроводниковые диоды На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Численный расчет диода Ганна Диод Ганна Методика расчета Введение Диоды Ганна, как твердотельные генераторы токов в диапазоне СВЧ находят очень широкое применение в разнообразнейших устройствах благодаря своим несомненным преимуществам: легкости, компактности, надежности, эффективности и др.

Диоды Полупроводники стали настоящей золотой жилой техники, когда из них научились делать структуры, похожие на слоистый пирог. Исследование эффекта автодинного детектирования в многоконтурном генераторе на диоде Ганна Реферат на тему диод ганна комитет Российской Федерации по высшему образованию Саратовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет.

Зарядное устройство Особенность схемы является гальваническая связь с электрической сетью Вчто требует соблюдения мер электробезопасности. Особенности замены радиодеталей в схемах как правильно подобрать для замены резисторы, конденсаторы, диоды и др. Элементная база радиоэлектронной аппаратуры Здесь имеется все необходимые электрические параметры, расчёты и графики зависимостей, и определение величин температурных коэффициентов.

  • Основные особенности лавинно-пролетных диодов
  • У равнения сохранения заряда для нижней и верхней долины соответственно: Тут u 1,2 — скорость потока электронов в верхней и нижней долинах соответственно; t 12 и t 21 — время перехода из нижней долины в верхнюю и из верхней в нижнюю соответственно.
  • Выращивая слой n-полупроводника на пластинке p-полупроводника, мы получим двухслойный полупроводник.
  • Если предположить, что распределение электронов в нижней долине характеризуется статистикой Максвелла, когда.
  • У равнение Пуассона.
  • Помимо арсенида галлия GaAs и фосфида индия InP, используется на частотах до ГГц при изготовлении диодов используется эпитаксиальное наращивание , для изготовления диодов Ганна также применяется нитрид галлия GaN.
  • Во втором случае, называемом также решением в частотной области, параметры внешней схемы задаются в виде напряжения, приложенного к кристаллу, например, в виде.

Расчёт полупроводникового выпрямителя Однополупериодный выпрямитель. Применение pin диодов PIN-диод - разновидность диода, в котором между областями электронной n и дырочной p проводимости находится собственный нелегированный, англ. Основные требования к полупроводниковым материалам К полупроводникам относят большую группу веществ. Сверхвысокочастотные диоды В технике сверхвысоких частот для работы в сантиметровом и миллиметровом диапазонах волн применяются особые германиевые и кремневые сверхвысокочастотные диоды СВЧ диоды.

Исследование полупроводникового диода Лабораторная работа.

Доменный режим может быть реализован в трёх различных видах: пролётный, с задержкой образования доменов и с гашением доменов. После этого рост зарядовой неустойчивости прекратится и, но она будет двигаться по образцу. Вариант N 8. Динамическая двухтемпературная модель Основные уравнения двухтемпературной модели имеют вид: Уравнение Пуассона У равнения сохранения заряда для нижней и верхней долин Уравнение сохранения энергии для нижней долины К роме того, необходимы граничные условия, имеющие вид Два последних граничных условия являются неточными и для снижения погрешности от этой неточности необходимо в приконтактной области задавать область повышенного легирования. Расчеты показывают, что оптимальными являются параметры:.

Светодиодные вывески Вывески на светодиодах становятся популярнее с каждым днем. Расчёт двухполупериодного источника питания. Полупроводниковые нелинейные элементы: полупроводниковые диоды Полупроводниковые приборы. Анализ процессов в электрических цепях с ключевыми элементами на основе компьютерных технологий Рассмотрение схемы однотактного широтно-импульсного преобразователя постоянного напряжения в пакете MathCAD. Характеристики диодов, конструкции и особенности применения В этой статье мы рассмотрим свойства диодов, их достоинства и недостатки, различные конструкции и особенности применения в электронных схемах.

GaAs — как полупроводник Рис 2 Рис 3. Рис 5. Такой режим работы генератора называется релаксационным.

Реферат на тему диод ганна 4796

Существуют несколько разных режимов использования генераторов на диоде Ганна в зависимости от питающего напряжения, температуры, характера нагрузки: доменный режим, гибридный режим, режим ограниченного накопления объемного заряда и режим отрицательной проводимости. Наиболее часто используемым режимом является доменный режим при котором в течение большей части периода колебаний характерен режим существования домена.

Доменный режим может быть реализован в трёх различных видах: пролётный, с задержкой образования доменов и с гашением доменов.

6490920

Переход между этими видами происходит при изменении сопротивления нагрузки. Для диодов Ганна был так же предложен и осуществлен режим ограничения и накопления объёмного заряда. Этот режим имеет место при больших амплитудах напряжения на диоде и на частотах, в несколько раз больших пролетной частоты, и при средних постоянных напряжениях на диоде, которые в несколько раз превышают пороговое значение.

9582992

Однако, существуют определённые требования для реализации этого режима: полупроводниковый материал диода должен быть с очень однородным профилем легирования. При этом однородное распределение электрического поля и концентрации электронов по длине образца обеспечивается за счет большой скорости изменения напряжения на диоде.

Помимо арсенида галлия GaAs и фосфида индия InP, используется на частотах до ГГц при изготовлении диодов используется эпитаксиальное наращиваниедля изготовления диодов Ганна также применяется нитрид галлия GaN.

DEFAULT1 comments